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尼康與佳能將聯合開發新一代光刻機
2001年5月26日 10:00

東方網5月26日消息:日本著名的照像機廠商尼康公司和佳能公司最近宣布,他們將聯合開發5年後使用的新一代半導體器件光刻機。為此,兩公司將共同分擔近5億美元的開發經費,並在技術上密切合作。其目的是與掌握先進技術的美國Intel、IBM和德國inf-nion技術公司等國際強大的競爭對手一爭雌雄,奪取近300億美元的光刻機國際市場的主導權。

目前尼康公司在步進式光刻機的市場上雄居首位,佳能公司排名世界第3位。然而他們面臨美國廠商的激烈競爭。在2001年內起動的新一代光刻機開發,將有近10家廠商參加。該項開發是以康佳和佳能先進的光刻機技術為基礎進行。

為了制造新一代半導體器件,必須使用盡可能細的線路寬度。新一代光刻機將利用極紫外光(EUV)激光作為光源,其波長為193納米或153納米。采用這種激光為光源的光刻機,可使半導體器件的線路寬度在2004年時為目前的1/5,即0.03微米。

這種新型光刻機可制造出比目前器件存儲容量和處理能力均大10倍的新一代半導體器件。

目前世界各半導體器件制造設備廠商均在研究新一代器件的生產技術。采用極紫外線(EUV)激光作為光源的光刻機技術是最為合適的技術,該技術是美國和德國在1997年聯合開發成功的。

選稿:陳志娟  來源:計算機世界網  作者:康迪 







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